メーカー/型式
JEOL(日本電子)/ JIB-4700
装置概要
本装置はTEMの試料作製に対応しており、試料を10μm×5μm厚さ~100nm程度に加工できる。加速したGaイオンビームを静電レンズを用いて集束、静電偏向器を用いて走査電子顕微鏡と同様に試料にスキャンしながらGaイオンを照射することで、試料表面のSIM像観察、ミリング加工、カーボンなどのデポジションを行う。また、搭載されているFE電子銃により、加工後の高分解能SEM観察、EDS分析が可能です。
主な仕様
加速電圧:0.1 ~ 30.0 kV
分解能:1.2 nm (15 kV, GBモード)、1.6 nm (1 kV, GBモード)
照射電流:1pA~300nA
設置場所
42-1号館202室