二ホウ化ジルコニウム薄膜上のシリセンの形成（2016/12/22）

演題：二ホウ化ジルコニウム薄膜上のシリセンの形成

日時：2016年12月22日 (木) 10:30～12:00

会場：早稲田大学 西早稲田キャンパス 63号館 4階 ゼミ室（22室）

講師：高村　由起子(北陸先端科学技術大学院大学・准教授)

対象：学部生、大学院生、教職員、学外者、一般

参加方法：入場無料、直接会場へ

主催：先進理工学研究科　電気・情報生命専攻

問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課

TEL：03-5286-3000