Kagami Memorial Research Institute for Materials Science and Technology早稲田大学 各務記念材料技術研究所

ステップアンバンチング現象の発見

乗松航教授（理工学術院 電子物理システム学科）らの研究グループは、名古屋大学、中国内モンゴル民族大学、日本原子力研究開発機構、名古屋大学未来材料システム研究所との共同研究により、半導体表面を原子レベルで平坦にする新技術として応用可能な、ステップアンバンチング現象を発見しました。

乗松教授は前任校である名古屋大学在籍時から本研究を進めていました。本研究の一部は、2019年度から2021年度まで3年間にわたって行われた早稲田大学各務記念材料技術研究所 環境整合材料基盤技術共同研究拠点の共同研究課題「低環境負荷ナノカーボン材料の作製と評価」の支援のもとで行われました。

本成果は、2023年7月19日（水）付（現地時間）で、米国物理学協会が発行する『Applied Physics Letters』誌に掲載されました。

論文：Step unbunching phenomenon on 4H-SiC (0001) surface during hydrogen etching

共同研究報告書：2019年度，2020年度，2021年度

研究内容等の詳細は以下の記事をご覧ください。
ステップアンバンチング現象の発見