Waseda Research Institute for Science and Engineering早稲田大学 理工学術院総合研究所

プロジェクト研究

非侵襲脳活動制御による認知機能向上(3期目)

Improvement of Behavioral Performance via Non-invasive Control of Neural Activity
  • 研究番号:18C06
  • 研究分野:technology
  • 研究種別:奨励研究
  • 研究期間:2018年04月〜2019年03月

代表研究者

松吉 大輔 理工総研が募集する次席研究員
MATSUYOSHI Daisuke Researcher

理工学術院総合研究所 渡邊 克巳研究室
Research Institute for Science and Engineering

研究概要

これまでの申請者の研究では、物体や顔の視覚認知・記憶において不全が生じる認知神経メカニズムを検討してきた。しかし、不全の研究は飽くまでそれを健全に戻すという目標の前段階に位置づけられるべきであり、完全ではないにせよある程度メカニズムの理解が得られた現段階において、不全を健全に戻すための応用的・臨床的な試みを積極的に行っていくべきである。そこで本研究では、物体や顔の認知・記憶を向上させることを目標に、経頭蓋脳刺激・制御を用いた認知神経科学研究を行う。

視覚認識における重要な単位である物体の認知・記憶の減退は、我々の日常生活の活動の質を有意に低下させるほか (Germine et al., 2010)、他者の顔が分からない相貌失認をはじめ、顔認知の不全は社会生活に甚大な影響を及ぼす (Behrmann et al., 2005)。本研究では、ヒトの頭皮に取り付けた電子回路(負性抵抗)から、神経細胞外のインピーダンスを制御し、神経突起電流を変化させることによって認知・行動に影響を与える経頭蓋細胞外インピーダンス制御 (transcranial extracellular impedance control: tEIC) により、物体や顔の認知・記憶の向上の可能性を検討する。

年次報告

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