集束イオンビーム加工装置
- Posted
- 2018年11月2日(金)
メーカー/型式
JEOL（日本電子）/ JIB-4000
装置概要
加速したGaイオンビームを静電レンズを用いて集束、静電偏向器を用いて走査電子顕微鏡と同様に試料にスキャンしながらGaイオンを照射することで、試料表面のSIM像観察、ミリング加工、カーボンなどのデポジションを行う。
半導体や金属、セラミック等固体試料(7mm×7mm、厚さ1mm程度）に加工を施す。本装置はTEMの試料作製に特化した装置で試料は10μm×5μm厚さ～100nm程度に加工できる。
主な仕様
加速電圧：1、3、5、10、15、20、25、30 kV
分解能：5.0 nm（加速電圧 30 kV）
照射電流：1pA～60nA
設置場所
42-1号館202室
