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2020「SSDM Young Researcher Award」 を受賞

川原田研究室の角田隼(修士2年)がSSDM2019における口頭発表に対し、「SSDM2020」にて受賞しました。
受賞おめでとうございます。

受賞コメント

早稲田大学大学院 基幹理工学研究科 電子物理システム学専攻
5119D039-5 川原田研究室
角田 隼

この度、2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019)においてSSDM Young Research Awardを頂き、大変光栄に存じます。本研究は、トレンチ構造を持つ縦型ダイヤモンドパワー金属/酸化物/半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の開発に関するものです。3次元の微細加工技術が必要なダイヤモンド縦型FETの開発では、各国と競っていますが、早大が世界をリードしています。これは、多くの先輩達がこの数年、ナノテクノロジー研究センターで創意工夫を凝らし、技術をじっくり磨き、蓄積し、伝承してきたことに負っています。このための研究環境を整えて下さったナノ・ライフ創新研究機構のナノテクノロジー研究センターの教職員の皆様に厚く御礼申し上げます。ご指導を頂いた川原田洋教授、平岩篤教授ならびに研究室の皆様に心より感謝申し上げます。
私の研究では、pチャネル材FETとして有望なダイヤモンドを用いて、集積化に適した六角形トレンチ構造を持つ(111)縦型パワーMOSFETの作製に世界で初めて成功し、大電流動作およびデバイスの低抵抗化を達成しています。この結果は縦型ダイヤモンドMOSFETの微細化と集積化技術やp型パワーデバイスとしてのダイヤモンドの実用化に弾みをつけ、次世代の高速高出力相補型インバータの実現に向けた重要な一歩と考えております。
SSDMは、電子材料・デバイス分野の国内最大の伝統のある国際会議であり、固体エレクトロニクスの進化・発展による生活の質的向上を目的に応用物理学会が開催しています。1000名を超える国内外の研究者・企業関係者が参加し、毎年レベルの高い議論や講演が行われます。今回、本賞をスタンフォード大学、東京大学、東北大学といった高い電子工学研究技術を持つ大学、フラウンホーファーIPMS研究所、STマイクロン、フランス原子力庁LETI、日立製作所などの世界トップクラスの研究機関が受賞をしております。その中で私の研究が採択されたことに身の引き締まる思いでおります。今回の受賞を励みに、修士修了後も半導体パワーエレクロニクスに進展を目指した研究に邁進していきたいと考えています。
この度は本当にありがとうございました。

左:トロフィー 右:賞状

概要
  • 学会名:2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019)
  • 発表タイトル:”(111) Vertical-type 2DHG Diamond MOSFETs with Hexagonal Trench Structures”
  • 受賞名:SSDM Young Researcher Award
  • 受賞者名:角田隼 修士2年
  • 受賞年度:2020年

SSDM2020の詳細はこちらから

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