“Analysis of X-ray diffraction curves of trapezoidal Si nanowires with a strain distribution”
Thin Solid Films vol.612 (2016) pp.116–121
ナノ・ライフ創新研究機構 研究院教授 竹内輝明ら
キーワード：Siナノワイヤ，歪分布，台形断面，X線回折，シンクロトロン放射光
＊成果のポイント
- 300nm周期で配列したSiナノワイヤーを作製し(Fig.1)、X線回折実験を実施。ナノワイヤーと基板とは結晶方位が同じであるが、ナノワイヤーの干渉効果を用いて、基板の回折を除去してナノワイヤーの回折のみを観測した(Fig.2) 。
- 解析は、位相を考慮し歪分布と断面形状を仮定して、X線散乱振幅を全領域で積分して求めた回折強度理論曲線を実験曲線と比較して行った。
- 歪には正のものと負のものとが共存することが分かり、かつ、それらを定量的に求めることに成功した (Fig.3a)。また、断面を台形と仮定すると理論の回折曲線が実験曲線とよく合うこと(Fig.3b)も判明。
- 歪Si MOS-FETの解析や周期構造を有するフラッシュメモリ素子評価への応用が期待される。
