Research Organization for Nano & Life Innovation早稲田大学 ナノ・ライフ創新研究機構

Nanotechnology Platform

ナノテクノロジープラットフォーム(微細加工分野)

主な研究設備

高品質製膜装置群

基板サイズ:小片~4インチウェハまで<br />
1バッチに4インチウェハ最大15枚まで可<br />
材料はAu、Cr、Ti、Al、Cu、Ag、Niが製膜可能<br />
(貴金属は別途費用がかかります。)<br />
膜厚制御:水晶振動子による自動制御

電子ビーム蒸着装置(-/EBX-6D)
基板サイズ:小片~4インチウェハまで
1バッチに4インチウェハ最大15枚まで可
材料はAu、Cr、Ti、Al、Cu、Ag、Niが製膜可能
(貴金属は別途費用がかかります。)
膜厚制御:水晶振動子による自動制御

基板サイズ:小片~最大4インチウェハまで<br />
1バッチに4インチウェハ3枚まで可能<br />
材料はTi、Pt、Auのみ。<br />
(貴金属は別途費用がかかります。)

スパッタ装置(アネルバ社製/SPF430H)
基板サイズ:小片~最大4インチウェハまで
1バッチに4インチウェハ3枚まで可能
材料はTi、Pt、Auのみ。
(貴金属は別途費用がかかります。)

基板サイズ:小片~最大4インチウェハまで<br />
1バッチに4インチウェハ1枚まで<br />
基板加熱機構あり<br />
各種材料使用可<br />
(使用可能な材料はお問い合わせ下さい。)

イオンビームスパッタ装置(伯東社製/-)
基板サイズ:小片~最大4インチウェハまで
1バッチに4インチウェハ1枚まで
基板加熱機構あり
各種材料使用可
(使用可能な材料はお問い合わせ下さい。)

Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能、H2O及びO3使用可、基板サイズ小片~4インチ、6インチウェハ、及び20×20 mm試料対応、基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi。<br />
成膜温度範囲:100~450 ℃

アトミックレイヤデポジション(ALD)装置(Picosun社製/SUNALE R150)
Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能、H2O及びO3使用可、基板サイズ小片~4インチ、6インチウェハ、及び20×20 mm試料対応、基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi。
成膜温度範囲:100~450 ℃

表面処理・接合装置群

6インチまでの基板接合が可能。但しアウトガスの多い基板は不可。

接合装置(ズ―スマイクロテック社製/SB6E)
6インチまでの基板接合が可能。但しアウトガスの多い基板は不可。

6インチまでの基板表面にプラズマ照射し、表面クリーニングが可能

プラズマ処理装置(ズ―スマイクロテック社製/PL8)
6インチまでの基板表面にプラズマ照射し、表面クリーニングが可能

4インチまでの基板接合時のアライメントに使用可能

アライナ(ズ―スマイクロテック社製/BA8Gen3)
4インチまでの基板接合時のアライメントに使用可能

電子顕微鏡群

FIB加工中の同時SEM観察可、~×800k、試料サイズ最大30mmφ。EDAX分析可。STEM観察可。

集束イオン/電子ビーム加工観察装置(極表面微量元素分析機能つき)(日立ハイテク社製/NB-5000)
FIB加工中の同時SEM観察可、~×800k、試料サイズ最大30mmφ。EDAX分析可。STEM観察可。

試料サイズ最大20mm角 セミインレンズ方式による高分解能(~×600k) EDAXによる元素分析<br />

FE-SEM(日立ハイテク社製/S-4800)
試料サイズ最大20mm角 セミインレンズ方式による高分解能(~×600k) EDAXによる元素分析

試料サイズ最大20mm角 操作が簡便 ~×10k<br />

簡易SEM(キーエンス社製/VE-7800)
試料サイズ最大20mm角 操作が簡便 ~×10k

走査電子顕微鏡<br />
二次電子分解能<br />
照射電圧 0.01~30kV<br />
倍率 20~1,000,000倍<br />
EDAXによる分析機能あり<br />
リターディング機能あり<br />

インラインモニター用 超高分解能電界放出型 走査電子顕微鏡(日立ハイテク製/SU8240)
走査電子顕微鏡
二次電子分解能
照射電圧 0.01~30kV
倍率 20~1,000,000倍
EDAXによる分析機能あり
リターディング機能あり

分解能:0.4 nm (30 kV)<br />
倍率:×800~2000k<br />
加速電圧:0.5~30 kV<br />
試料サイズ:<br />
 5×9.5×3.5 mm(平面)<br />
 2×6.5×5 mm(断面)<br />

電子顕微鏡(日立ハイテク製/5500)
分解能:0.4 nm (30 kV)
倍率:×800~2000k
加速電圧:0.5~30 kV
試料サイズ:
5×9.5×3.5 mm(平面)
2×6.5×5 mm(断面)

デバイス電気特性測定装置群

10 K~600 Kの真空環境下での高耐圧デバイス(2000 V又は20 A MAX)測定可能、<br />
25 mm×25 mm以下(測定範囲)

高耐圧プローバ(長瀬産業社製(特注品)/-)
10 K~600 Kの真空環境下での高耐圧デバイス(2000 V又は20 A MAX)測定可能、
25 mm×25 mm以下(測定範囲)

3000 Vまでの電圧印加と高精度測定。最小パルス幅50 µsの大電流モジュール

高耐圧デバイス測定装置(アジレント社製/B1505A)
3000 Vまでの電圧印加と高精度測定。最小パルス幅50 µsの大電流モジュール

0.1 fAおよび0.5 µVまでの電流/電圧(IV)測定をサポート<br />

高性能半導体デバイス・アナライザ(アジレント社製/B1500A 半導体デバイス・アナライザ)
0.1 fAおよび0.5 µVまでの電流/電圧(IV)測定をサポート

めっき装置群

各種無電解、電解めっきに対応、Auめっき、合金めっきに対応、基板サイズ4インチまで

精密めっき装置×3台
各種無電解、電解めっきに対応、Auめっき、合金めっきに対応、基板サイズ4インチまで

表面観察・分析装置群

高さ分解能 1 nm<br />
3次元イメージング可能<br />
マッピングエリア 100 μm□<br />
レーザー光 532 nm, 633 nm

顕微ラマン分光装置(東京インスツルメンツ社製/nanofinder 30)
高さ分解能 1 nm
3次元イメージング可能
マッピングエリア 100 μm□
レーザー光 532 nm, 633 nm

測定波数範囲:7800~350 cm -1<br />
測定波数拡張範囲:15000~20 cm -1<br />
表示波数範囲:15000~0 cm -1<br />
波数正確さ:±0.01 cm -1以内

真空光学系赤外分光計(日本分光株式会社製/FT/IR-6200+加熱ATR測定部改造)
測定波数範囲:7800~350 cm -1
測定波数拡張範囲:15000~20 cm -1
表示波数範囲:15000~0 cm -1
波数正確さ:±0.01 cm -1以内

波長範囲:190-2100 nm<br />
150 mmウェハ対応、XY軸はマニュアルステージ<br />
サンプル加熱機構あり。

高性能分光膜厚 測定装置(堀場製作所製/UVISEL ER AGMS iHR320)
波長範囲:190-2100 nm
150 mmウェハ対応、XY軸はマニュアルステージ
サンプル加熱機構あり。

触針式段差計<br />
基板サイズ~8“<br />
針の曲率半径 2 μm<br />
nm ~300 μmの高さ測定可能

表面極微細構造測定装置(テンコール社製/プロファイラ―P-15)
触針式段差計
基板サイズ~8“
針の曲率半径 2 μm
nm ~300 μmの高さ測定可能

ドライエッチング装置群

汎用反応性エッチング装置 Si、Ti等の微細エッチング可 基板サイズは~4inch

ICP-RIE装置(SAMCO社製/-)
汎用反応性エッチング装置 Si、Ti等の微細エッチング可 基板サイズは~4inch

SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング<br />

CCP-RIE装置(SAMCO社製/-)
SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング

Siの深掘り可能、基板サイズ小片~4インチ、Si基板のみ

Deep-RIE装置(SAMCO社製/-)
Siの深掘り可能、基板サイズ小片~4インチ、Si基板のみ

微細パターン露光描画装置群

電子ビーム径2 nm<br />
基板サイズ小片~4インチ<br />

電子ビーム描画装置(エリオニクス社製/7700)
電子ビーム径2 nm
基板サイズ小片~4インチ

加速電圧:50 kV<br />
ビーム電流:1E-12~5E-8 A<br />
ビームサイズ:2 nm<br />
最小描画線幅:10 nm<br />
つなぎ精度:50 nm<br />
重ね精度:60 nm<br />
試料サイズ:小片~4インチφ、4インチ角

電子ビーム露光装置(エリオニクス社製/ELS7500)
加速電圧:50 kV
ビーム電流:1E-12~5E-8 A
ビームサイズ:2 nm
最小描画線幅:10 nm
つなぎ精度:50 nm
重ね精度:60 nm
試料サイズ:小片~4インチφ、4インチ角

小片~4インチまで露光可能 最小線幅1 µm 両面マスクアライナ―

両面マスクアライナ(ズ―スマイクロテック社製/MA6)
小片~4インチまで露光可能 最小線幅1 µm 両面マスクアライナ―

元素分析装置

軽元素(N,  O,  H等)の分析や深さ方向の組成分析可能。<br />
アルゴンプラズマにより試料のスパッタリングを行い, 励起した原子が基底状態に戻ることにより発光し,その波長から元素分析を行います。<br />
分析範囲 4 mmφ<br />
基板サイズ 10 mmφ以上 4”までのSi, ガラス基板<br />
分析可能膜厚 300 μm

グロー放電発光分析装置(HORIBA社製/GDOES)
軽元素(N, O, H等)の分析や深さ方向の組成分析可能。
アルゴンプラズマにより試料のスパッタリングを行い, 励起した原子が基底状態に戻ることにより発光し,その波長から元素分析を行います。
分析範囲 4 mmφ
基板サイズ 10 mmφ以上 4”までのSi, ガラス基板
分析可能膜厚 300 μm

2-290までの質量数の元素をアルゴンプラズマ内に噴霧、イオン化させ、元素固有の質量数をモニターすることにより超高感度 ppb ~pptの組成分析が可能な装置です。

誘導結合プラズマ質量分析装置(Thermo Fisher Scientific(Bremen)社製/iCAP Qc ICP-MS)
2-290までの質量数の元素をアルゴンプラズマ内に噴霧、イオン化させ、元素固有の質量数をモニターすることにより超高感度 ppb ~pptの組成分析が可能な装置です。

その他

φ6“対応のマニュアルダイシングソー<br />
最大ワークサイズ 160×160 mm<br />
切削可能範囲 X軸:192 mm Y軸:162 mm<br />
Z軸有効ストローク:28.2 mm<br />
回転数範囲:3,000-4,000 RPM

ダイシングソー(ディスコ/DAD321)
φ6“対応のマニュアルダイシングソー
最大ワークサイズ 160×160 mm
切削可能範囲 X軸:192 mm Y軸:162 mm
Z軸有効ストローク:28.2 mm
回転数範囲:3,000-4,000 RPM
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