各務記念材料技術研究所

2016年度 オープンセミナーのご案内 (終了)

主催:早稲田大学 各務記念材料技術研究所

協 賛:応用物理学会・日本物理学会・日本表面科学会・腐食防食学会・高分子学会・日本アルミニウム協会・日本材料学会・石油学会・日本原子力学会・日本分光学会・日本液晶学会・電気化学会・粉体粉末冶金協会・表面技術協会・日本鋳造工学会・日本アイソトープ協会・日本金属学会・日本機械学会・日本鉄鋼協会・軽金属学会・日本セラミックス協会・炭素材料学会・電力技術懇談会・早稲田応用物理会・早稲田物理会・早稲田電気工学会・早稲田機友会・早稲田材料工学会・ 早稲田大学総合研究機構ホリスティック物理学研究所(順不同)

テーマ 「パワーエレクトロニクスと材料」

 「パワーエレクトロニクスと材料」と題し、これまでのエネルギーエレクトロニクス、次世代パワー半導体関連の材料、パワーモジュール、国の施策、世界情勢等、これらに関わるトピックについての講演会形式のセミナーを開催いたします。

1.日時:2016年10月14日(金) 10:00~18:00
2.会場:早稲田大学西早稲田キャンパス63号館04・05会議室
      (東京都新宿区大久保3-4-1)
3.プログラム

時間講座題目等講師等
10:00-10:05

10:05-10:10



10:10-11:00

11:00-11:50

11:50-13:00

13:00-13:50


13:50-14:40


14:40-15:10

15:10-16:00



16:00-16:50


17:00-17:40

17:40-17:45
所長挨拶

開会挨拶



パワー半導体がつくる快適な低炭素社会

SiCパワーデバイスとその応用の最新動向

昼食

GaNを用いる新しいパワー半導体デバイスとシステム

ダイヤモンドパワー素子および同ゲート絶縁・パッシベーション技術

休憩(コーヒーブレーク)

最新パワー半導体モジュールのパッケージ・実装技術~HEV用パッケージからSiC用パッケージまで~

戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)
「次世代パワーエレクトロニクス」の取り組み

パネルディスカッション

閉会の挨拶
各務記念材料技術研究所 所長

川原田洋(運営委員長・早稲田大学教授・各務記念材料技術研究所研究員)

森睦宏氏(日立製作所)

四戸孝氏(東芝)



上田大助氏(京都工繊大)


平岩篤氏(早稲田大学)




高橋良和氏(富士電機)



大森達夫氏(内閣府)
竹内大輔氏(内閣府)



吉田誠(運営副委員長・早稲田大学教授・各務記念材料技術研究所研究員)

>>>プログラム・会場地図(印刷用)[PDF](2016.9.29更新)

4.対 象:本学学生、教職員、一般 / 参加費:無料
5.定員: 150名 (定員になり次第締め切らせていただきます)
※まだ定員に余裕がございますので、参加ご希望の方は当日会場までお越しください。
6.申込手続き: 申請フォームでの申込手続きは終了いたしました。これから参加ご希望の方は、当日会場にて受付いたしますので、メール・お電話でのご連絡は不要です。
7.お問い合わせ先: 早稲田大学各務記念材料技術研究所 オープンセミナー係(担当: 岡田・藤原)
〒169-0051 東京都新宿区西早稲田2-8-26
TEL 03-3203-4782 FAX 03-5286-3771
E-mail: zaikenjimu_at_list.waseda.jp  (※ _at_ は @ に置き換えてください。)
8.申し込み締切:10月7日(金)正午
(7日正午以降に参加ご希望の方は、直接会場へお越しください。)