堀越佳治研究員
|
堀越佳治 YOSHIJI HORIKOSHITEL : 03-5286-3176 FAX : 03-3209-3450 e-mail : horikosi@waseda.jp 堀越研究室ホームページへ 1966年東北大学工学部電気工学科卒業、1971年東北大学院博士課程電子工学専攻修了（工学博士）、1971年日本電信電話公社電気通 信研究所基礎研究部、1983～84年西独マックス・プランク固体研究所客員研究員、1995～96年東北大学電気通 信研究所客員教授、1966年～早稲田大学教授、1997年北海道大学量子界面エレクトロニクス研究所客員教授、1997年東京大学大学院工学科研究科講師、1997年～早稲田大学材料技術研究所研究員 |
研究の概要
光エレクトロニクスや半導体エレクトロニクスに変革をもたらす新しい原理、現象、材料の発見を目指して、半導体材料の基礎物性研究およびデバイス応用の研究を進めている。研究の中心は電子の量子力学的性質が顕著になるナノスケール、サブナノスケールの微細構造における物理である。半導体中の電子に、超格子構造、量子井戸構造、単原子層構造、および一次元・ゼロ次元構造などの人工的な境界条件を与えることによって、その波動的性質を変調し、新しい物性を導き出すことを目標としている。このような研究には原子レベルでよく制御された半導体微細構造が不可欠であり、このため分子線エピタキシャル成長を主体とした成長技術の研究、および近年の進歩著しいナノテクノロジーを研究の大きな柱としている。成長表面の原子の挙動や成長メカニズムを理解することができれば、原子レベルでのナノ構造製作が可能になる。成長した構造中の点欠陥の特性、電子輸送現象、共鳴トンネル効果、再結合発光特性などを明らかにし、新しいデバイスへの応用の可能性を追求する。
代表論文および著書
"Migration-enhanced Epitaxy" in Handbook of Crystal Growth 3, pp.693-741, Elsevier, Ed. D.T.J. Hurle, 1994."分子線エピタキシャル成長"「III-V化合物半導体」（赤崎勇編）pp.93-120、培風館 1994.
"Formation of a two-dimensional electron gas in an inverted undoped hetero-structure with a shallow channel depth" J. Appl. Phys. vol.87 (No.2), pp.952-954 (2000).
 ↑GaN成長風景 |
 |