シングルイオン注入法
超LSIの微細化に伴い顕在化するドーパント原子の偏りを解消するために、早稲田大学大泊研究室で世界に先駆けて開発されたシングルイオン注入装置。B，P，Asなどのドーパント原子、Fe，Ni，Co，Pdなどカーボンナノチューブ成長の触媒元素を1個ずつ固体中に打ち込むことが可能である。現在、イオンビーム径は20nm、照準精度は60nm。

ドーパント原子の周期的配列
シングルイオン注入法を用いて作製されたドーパント原子の周期的配列の原子間力顕微鏡像。白十字は照準箇所、黒点にシングルイオンが打ち込まれている。従来の半導体では、ドーパント原子はランダムに分布し、これが電気的特性のバラつきの原因となるが、ドーパント原子の個数と位置が制御された半導体では、特性バラつきが大幅に抑制された他、規則性に起因する特性向上も観測され始めている。